AI 伺服器與生成式 AI 的發展，正在改變記憶體與儲存裝置的設計方向。當模型、訓練資料與即時推論需求持續增加，資料能否快速送進 AI 加速器，成為影響系統效能的關鍵。
三星電子在 2026 年 Future of Memory and Storage（FMS 2026）展示多項新一代 AI 記憶體與儲存技術，包括將 HBM 垂直堆疊在 AI 加速器上方的 zHBM、面向邊緣 AI 的 zNAND-O，以及堆疊超過 400 層的 V10 BV-NAND。
必須先釐清，三星此次展示的 zHBM 與 zNAND-O 是概念模型，不是目前已量產、可直接採購的產品。V10 BV-NAND 則代表三星公開展示的下一代 NAND 技術方向。
zHBM 是什麼？
HBM（High Bandwidth Memory，高頻寬記憶體）透過堆疊多層 DRAM 與先進封裝，提供高於一般 DRAM 的資料傳輸頻寬。現有 HBM 通常配置在 GPU 或 AI 加速器附近，再透過封裝與互連路徑連接。
三星提出的 zHBM，概念上是把高頻寬記憶體由「放在晶片旁邊」改為「直接垂直堆疊在 AI 加速器上方」，藉此縮短資料移動距離，改善頻寬、功耗、密度與整合度。
三星表示，採用 zHBM 的下一代介面系統，預期效能可達 HBM5 約八倍；搭配下一代晶圓鍵合技術，記憶體密度有機會超過 HBM5 十倍，能源效率提升至三倍，熱阻降低超過一半。這些是三星提出的技術目標與預期表現，不是現階段量產產品的獨立實測規格。
zHBM 仍須面對散熱、良率、鍵合、封裝成本與量產可行性等挑戰。
V10 BV-NAND 為什麼受到關注？
NAND 快閃記憶體是 SSD、手機儲存空間、記憶卡、USB 隨身碟與企業級儲存設備的核心。3D NAND 透過向上堆疊記憶體單元，在相同晶片面積下提高儲存密度。
三星的 V10 BV-NAND 採用 Bonding V-NAND 架構，透過晶圓鍵合技術結合記憶體單元與周邊電路，堆疊層數超過 400 層。三星指出，V10 的記憶體密度較前一代 V9 提升約 58%，I/O 速度超過 4.8Gbps，較前代提升逾 33%，功耗降低超過 25%。三星也提到未來可支援 128TB 等級 SSD 與下一代 PCIe Gen7 SSD 應用。
這些數字是三星公開的技術資訊與發展方向，不代表近期消費級筆電 SSD 會全面變成 128TB，也不代表所有產品都會同時具備相同規格。
zNAND-O：邊緣 AI 的另一條路
zNAND-O 定位在邊緣 AI，也就是在工廠設備、車載系統、智慧監控、醫療設備、零售終端或企業現場伺服器附近直接處理資料，而不是全部送往雲端。
三星規劃 zNAND-O 的四層與八層版本，目標是提高儲存密度、I/O 效能與空間效率，支援需要低延遲與即時處理的工作負載。不過目前仍缺少完整的容量、耐寫度、控制器、介面、上市時間與實際產品資訊。
AI 儲存容量增加，也放大資料風險
當單一 SSD 可以容納更多資料，企業可能把虛擬機、資料庫、影音素材、模型權重與使用者資料集中在全快閃系統中。此時控制器故障、韌體異常、誤刪、勒索軟體感染或 RAID 重建失敗，都可能影響更大範圍的資料。
企業管理儲存設備時，應同時確認備份是否可還原、是否有離線或異地副本、NAS 是否啟用 Snapshot、是否限制刪除權限，以及是否監控 SSD 健康狀態、韌體版本與 RAID 狀態。遇到 SSD RAID 或全快閃 NAS 異常時，也不應輕易初始化、格式化、重建或大量寫入。
這些技術何時會影響一般 SSD？
短期來看，zHBM 主要瞄準高效能 AI 運算與資料中心市場，不會直接出現在一般桌機或筆電 SSD 中。V10 BV-NAND 則較有機會逐步影響企業級 SSD、資料中心 SSD 與高容量儲存產品。
不過，從技術展示到量產仍需通過良率、晶圓鍵合、散熱、成本、控制器設計、可靠度與客戶驗證。層數更多不一定代表產品立即普及，也不代表所有使用情境都會同時受益。
常見問題
zHBM 是已經量產的產品嗎？
不是。三星在 FMS 2026 展示的 zHBM 是概念模型與未來架構方向，尚未公布完整量產規格與商用時程。
三星 zHBM 真的是 HBM5 的八倍頻寬嗎？
三星官方表述是，整合 zHBM 的下一代介面系統，預期可達 HBM5 約八倍效能，不應簡化成已量產產品的單一頻寬實測值。
400 層 V10 BV-NAND 代表 SSD 容量一定會大幅增加嗎？
更高的 NAND 堆疊層數有助於提升記憶體密度，未來可支援更高容量 SSD；實際容量仍取決於 NAND 顆粒、控制器、封裝、成本、耐用度與市場定位。